[개발자 상식] 메모리 반도체 구조 정리

CS/Dev Ack

코딩뚜벅이 2024. 1. 14. 22:42

메모리 반도체 구조 정리

반도체 : 데이터 저장 용도

RAM : 데이터를 저장하고 저장한 정보를 Read/Write 할 수 있는 휘발성 메모리

-> 저장 방식에 따라 DRAM과 SRAM으로 구분

ROM : 저장된 데이터를 Read만 할 수 있는 비휘발성 메모리

-> 플래시 메모리 등

메모리 반도체의 성능 : 데이터의 저장량(대용량) + 데이터 Read/Write 속도(고속) + 전력의 효율성(저전력)

-> 계층 구조의 하단으로 갈수록 Load에 많은 시간 소요 : 레지스터가 가장 빠른 속도로 액세스

-> 계층 구조 하단으로 갈수록 많은 저장 공간 지원 : Magnetic Tape이 가장 많은 공간 제공

-> Cache 레벨에서는 SRAM 제공

-> Miain memory 레벨에서는 DRAM 제공

-> Hard disk 레벨에서는 HDD와 SSD가 제공(최근에는 SSD를 많이 사용)

HDD : 비휘발성 메모리, 여러 기계 부품과 함께 동작하여 데이터의 Read/Wirte 수행하는 보조 기억 장치

-> 인터페이스, RPM, 버퍼 용량 등으로 동작 속도가 결정

-> 기계적 장치

SSD : 비휘발성 메모리, HDD보다 고속이며 에너지를 덜 사용하는 보조 기억 장치, 대용량에 적합

-> HHD보다 크기가 더 작음

-> 전기신호적 장치

DRAM : Dynamic Random Access Memory, 변화가 잦아 데이터 저장을 위해서 전력 공급이 지속되어야 하는 메모리

-> 초당 수백 번 이상의 Refresh(재 충전) 동작이 이루어짐

-> 흔히 말하는 램은 DRAM에 해당

SRAM : Static Random Access Memory, 전력 공급이 지속되는 한 데이터를 유지하는 메모리

-> DRAM의 Refresh 동작이 필요하지 않은 메모리

-> DRAM보다 고속이지만 저장 용량은 작아 캐쉬 메모리로 사용

FLASH : 플래시 메모리, 정보 저장의 논리의 차이로 NOR 방식과 NAND 방식이 존재

-> 현재는 NAND 방식이 대부분이며, NAND FLASH 방식은 SSD에 사용

-> DRAM에 비해 집적도가 높아 더욱 세밀한 공정이 가능

-> 플래시 메모리의 셀의 기본 구조물 중 하나인 floating gate의 영향으로 동작 속도는 DRAM에 비해 저속

-> 따라서 SSD가 DRAM보다는 저속임